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                  技術文章/ article
                  
        
                   您的位置：首頁  -  技術文章  -  日本Coper Electronics 介紹一種功率半導體熱阻測試儀瞬態熱阻測量儀 
                  
        
                  
      
                  
      
                  
        	
                  日本Coper Electronics 介紹一種功率半導體熱阻測試儀瞬態熱阻測量儀
                  
            
                  更新時間：2024-04-15      瀏覽次數：554
                  
            
                  
            	 
                  　　介紹一種功率半導體熱阻測試儀。
                   
                  　　熱阻測量器
                  image.png
                  瞬態熱阻測試儀系列
                   
                  　　瞬態熱阻測量儀是測量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬態熱阻的裝置。
                   
                  　　BJT瞬態熱阻測量儀是向集電極·發射極間施加指的定的功率，使芯片溫度上升，求出其前后的微小電流(Im)引起的基極·發射極間電壓差(ΔVBE)的裝置。 這樣可以推測試料的熱阻。
                   
                  　　IGBT瞬態熱阻測量儀與BJT瞬態熱阻測量儀一樣，是計算柵極發射極之間電壓差(ΔVGE)的測量儀。
                   
                  　　P-MOS FET瞬態熱阻測量儀與BJT瞬態熱阻測量儀一樣，是計算柵極和源極之間電壓差(ΔVGS)的測量儀。
                   
                  　　可以在BJT瞬態熱阻測試儀的基極、發射極之間測量二極管的δVF。
                   
                  　　◇主要規格
                              
                                          
                  施加電壓
                                                		                        
                  2~30/100/600/1200V
                                                		        
                          
                                          
                  通電電流
                                                		                        
                  0.1至30/100/200/500/1000 a
                                                		        
                          
                                          
                  電力施加寬度
                                                		                        
                  100、200和500μs
                                                1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms
                                                1S，2S，30S，DC
                                                		        
                          
                                          
                  測量電流( Im )
                                                		                        
                  1至1~99/199/999mA
                                                		        
                          
                                          
                  測量范圍
                                                		                        
                  ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V )
                                                ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )
                                                		        
                          
                                          
                  采樣點
                                                		                        
                  Td 50~990μS
                                                		        
                      
                   
                  　　※熱電阻測量儀有功率限制，電壓、電流施加時間會限制可測量的區域。 此外，根據規格的不同，裝置的大小和重量會有很大的變化。 上述規格僅為一個例子，設計、制作需要詳細協商。
                  
            
                  
         	
                                            
        
                  
      
      
    
                  
  
                  

                  

 



                  
  
                  
    
    
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